MOSFET STMicroelectronics canal N, PowerFLAT 5 x 6 40 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
40 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
PowerFLAT 5 x 6
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
25 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±22 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.1mm
Longueur
6.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,5 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.1V
Taille
0.95mm
Standard automobile
AEC-Q101
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€ 1 749,03
€ 0,583 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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PowerFLAT 5 x 6
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CMS
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8
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
50 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±22 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.1mm
Longueur
6.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,5 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
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