MOSFET STMicroelectronics canal N, PowerFLAT 5 x 6 90 A 60 V, 8 broches

N° de stock RS: 906-2855Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STL90N6F7
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

90 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Séries

STripFET F7

Type d'emballage

PowerFLAT 5 x 6

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

5,4 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum

94 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

6.35mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

25 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

0.95mm

Tension directe de la diode

1.2V

Pays d'origine

China

Détails du produit

Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 9,99

€ 0,999 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 10€ 0,999€ 10,00
20+€ 0,95€ 9,50

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N

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90 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Séries

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Type d'emballage

PowerFLAT 5 x 6

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

5,4 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum

94 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

6.35mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

5.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

25 nC V @ 10

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Hauteur

0.95mm

Tension directe de la diode

1.2V

Pays d'origine

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