MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 80 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
STripFET F7
Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
158 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
55 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
Canal N STripFET™ série F7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 10,50
€ 2,10 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,10 | € 10,50 |
| 25 - 45 | € 1,995 | € 9,97 |
| 50 - 120 | € 1,795 | € 8,98 |
| 125 - 245 | € 1,617 | € 8,08 |
| 250+ | € 1,535 | € 7,67 |
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N
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80 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
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Type d'emballage
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,5 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
158 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
55 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Détails du produit
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Les transistors MOSFET basse tension série STripFET™ F7 de STMicroelectronics sont dotés d'une faible résistance de circuit à l'état passant, d'une capacité interne réduite et d'une charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.
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