MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 55 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
54,9 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
STripFET II
Type de conditionnement
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
18 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
95 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Charge de Grille type @ Vgs
27 nC @ 4,5 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 9,54
€ 1,908 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,908 | € 9,54 |
| 10 - 20 | € 1,718 | € 8,59 |
| 25 - 95 | € 1,624 | € 8,12 |
| 100 - 495 | € 1,26 | € 6,30 |
| 500+ | € 1,066 | € 5,33 |
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N
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Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
STripFET II
Type de conditionnement
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
18 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
95 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +16 V
Charge de Grille type @ Vgs
27 nC @ 4,5 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
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Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
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