Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
1500 V
Séries
MDmesh
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
160 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 10 V
Largeur
5.15mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
20.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 800 V / 1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 6,36
€ 6,36 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 6,36
€ 6,36 Each (hors TVA)
Standard
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Quantité | Prix unitaire |
---|---|
1 - 4 | € 6,36 |
5 - 9 | € 6,04 |
10 - 24 | € 5,44 |
25 - 49 | € 4,89 |
50+ | € 4,65 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
1500 V
Séries
MDmesh
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
160 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 10 V
Largeur
5.15mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
20.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit