MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 3,5 A 1 000 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
3.5 A
Tension Drain Source maximum
1000 V
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de conditionnement
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.7 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
42 nC V @ 10
Largeur
5.15mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 19,10
€ 4,775 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
4
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N
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Through Hole
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
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125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
5.15mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.15mm
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