MOSFET Taiwan Semiconductor canal N, SOT-23 2,8 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.8 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
65 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
900 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Charge de Grille type @ Vgs
3,69 nC @ 4,5 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.05mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.95mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor de puissance MOSFET canal N, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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N
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SOT-23, TO-236
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CMS
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
900 mW
Configuration du transistor
Single
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Charge de Grille type @ Vgs
3,69 nC @ 4,5 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
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Longueur
3.05mm
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