MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 3 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 208-8476Marque: Texas InstrumentsN° de pièce Mfr: CSD17484F4
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

Texas Instruments

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

3 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Séries

NexFET

Type de conditionnement

VSONP

Type de montage

CMS

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum

128000000 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

0.65V

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

Si

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

€ 227,92

€ 0,076 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)

MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 3 A 30 V, 8 broches

3000

Disponible en multiples de 3000
3000€ 227,92
6000€ 455,83
9000€ 683,75
12000€ 911,66
15000€ 1 139,58
18000€ 1 367,50
21000€ 1 595,41
24000€ 1 823,33
27000€ 2 051,24
30000€ 2 279,16
33000€ 2 507,08
36000€ 2 734,99
39000€ 2 962,91
42000€ 3 190,82
45000€ 3 418,74

€ 227,92

€ 0,076 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)

MOSFET Texas Instruments canal N, VSONP 3 A 30 V, 8 broches
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

3000

Disponible en multiples de 3000
3000€ 227,92
6000€ 455,83
9000€ 683,75
12000€ 911,66
15000€ 1 139,58
18000€ 1 367,50
21000€ 1 595,41
24000€ 1 823,33
27000€ 2 051,24
30000€ 2 279,16
33000€ 2 507,08
36000€ 2 734,99
39000€ 2 962,91
42000€ 3 190,82
45000€ 3 418,74

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Veuillez vérifier à nouveau plus tard.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

Texas Instruments

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

3 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Séries

NexFET

Type de conditionnement

VSONP

Type de montage

CMS

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum

128000000 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

0.65V

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

Si

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus