Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Séries
NexFET
Type d'emballage
WSON
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
2390000 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.55V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
€ 427,86
€ 0,143 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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3000
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Texas InstrumentsType de canal
P
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20,2 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Séries
NexFET
Type d'emballage
WSON
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
2390000 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.55V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si