Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type d'emballage
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
27 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
9.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 11,16
€ 2,231 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 11,16
€ 2,231 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
5 - 45 | € 2,231 | € 11,16 |
50 - 245 | € 2,097 | € 10,48 |
250 - 495 | € 1,898 | € 9,49 |
500 - 1245 | € 1,785 | € 8,92 |
1250+ | € 1,674 | € 8,37 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type d'emballage
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
27 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
9.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit