Transistor MOSFET Vishay canal P, TO-236 3 A 12 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Type de boîtier
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
50 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.45V
Dissipation de puissance maximum
0.75 W
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Charge de Grille type @ Vgs
8 nC @ 4,5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.02mm
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Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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P
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12 V
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CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.45V
Dissipation de puissance maximum
0.75 W
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Charge de Grille type @ Vgs
8 nC @ 4,5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.04mm
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