MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 120 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
120 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type d'emballage
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4.6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.65mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.51mm
Charge de Grille type @ Vgs
76 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
15.49mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.5V
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 16,64
€ 3,328 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 16,64
€ 3,328 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 3,328 | € 16,64 |
| 50 - 120 | € 2,463 | € 12,31 |
| 125 - 245 | € 2,232 | € 11,16 |
| 250 - 495 | € 1,997 | € 9,98 |
| 500+ | € 1,83 | € 9,15 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
120 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type d'emballage
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4.6 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
375 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.65mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.51mm
Charge de Grille type @ Vgs
76 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
15.49mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.5V
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.