Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
15 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
3.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
47,5 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
6.2mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
2.39mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 5,55
€ 0,555 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 5,55
€ 0,555 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
40 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
15 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
3.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Matériau du transistor
Si
Longueur
6.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
47,5 nC @ 5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
6.2mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
2.39mm
Détails du produit