MOSFET Infineon canal P, A-220 80 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
OptiMOS P
Type de boîtier
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
137 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-16 V, +5 V
Largeur
4.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Charge de Grille type @ Vgs
125 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
15.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistors MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™
Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.
Mode d'enrichissement
Résistance aux avalanches
Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Boîtiers standard
Série canal P OptiMOS™ : plage de température de -55 °C à +175 °C
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idée. Créer. Collaborer
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Prix sur demande
Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
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P
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Tension Drain Source maximum
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OptiMOS P
Type de boîtier
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
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Configuration du transistor
Single
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-16 V, +5 V
Largeur
4.4mm
Matériau du transistor
Si
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1
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10mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
15.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Les transistors de MOSFET de puissance à canal P Infineon OptiMOS™ sont conçus pour fournir des caractéristiques améliorées permettant d'atteindre des performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent le c.c.-c.c., la commande de moteur, l'automobile et eMobility.
Mode d'enrichissement
Résistance aux avalanches
Faibles pertes de puissance de commutation et conductivité
Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Boîtiers standard
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MOSFET Transistors, Infineon
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