MOSFET Infineon canal N, SOIC 20 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
InfineonType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
HEXFET
Type de boîtier
SOIC W
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
4.8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.32V
Tension de seuil minimale de la grille
1.39V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
34 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+155 °C
Largeur
4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.5mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 6,44
€ 0,644 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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N
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HEXFET
Type de boîtier
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CMS
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8
Résistance Drain Source maximum
4.8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.32V
Tension de seuil minimale de la grille
1.39V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
34 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
+155 °C
Largeur
4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.5mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 30 V, Infineon
La gamme de transistors MOSFET de puissance discrets HEXFET®, d'Infineon, inclut des dispositifs à canal N dans des boîtiers à montage en surface et câblés. Elle comprend également des facteurs de forme capables de s'adapter à toutes les configurations de carte et tous les défis de conception thermique. Sur toute la gamme, un repère sur la résistance amoindrit les pertes de conduction, ce qui permet aux concepteurs de fournir un niveau optimal de rendement du système.
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