Documents techniques
Spécifications
Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
222 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220F
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
2.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.9mm
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
108 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Taille
16.07mm
Pays d'origine
China
€ 2 313,71
€ 2,314 Each (In a Tube of 1000) (hors TVA)
1000
€ 2 313,71
€ 2,314 Each (In a Tube of 1000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1000
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Brand
onsemiType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
222 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220F
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
2.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.9mm
Longueur
10.36mm
Charge de Grille type @ Vgs
108 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Taille
16.07mm
Pays d'origine
China