MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220 8 A 900 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
8 A
Tension Drain Source maximum
900 V
Type de boîtier
A-220
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
160 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
72 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Hauteur
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1,93
€ 1,93 Each (hors TVA)
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 1,93 |
| 2+ | € 1,84 |
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Through Hole
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3
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Mode de canal
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Tension de seuil maximale de la grille
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Configuration du transistor
Single
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Largeur
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Si
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1
Longueur
10.4mm
Hauteur
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
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