Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.4 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type d'emballage
IPAK (TO-251)
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
7 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
36 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
2.39mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
6.22mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 600 à 1 000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 12,65
€ 1,265 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 12,65
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
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Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.4 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type d'emballage
IPAK (TO-251)
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
7 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
36 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
2.39mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
6.22mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
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