Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
115 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
13.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 72,00
€ 0,024 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 72,00
€ 0,024 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,024 | € 72,00 |
6000 - 12000 | € 0,023 | € 70,34 |
15000 - 27000 | € 0,022 | € 66,10 |
30000+ | € 0,02 | € 60,84 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
115 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
13.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.4mm
Longueur
3mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit