Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
0.8 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
700 V
Type de conditionnement
TO-92
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
800 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Emetteur Base maximum
9 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
4.7 x 3.7 x 4.7mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistors haute tension, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Prix sur demande
Each (On a Reel of 2000) (hors TVA)
2000
Prix sur demande
Each (On a Reel of 2000) (hors TVA)
2000
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Brand
DiodesZetexType de transistor
NPN
Courant continu de Collecteur maximum
0.8 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
700 V
Type de conditionnement
TO-92
Type de montage
Through Hole
Dissipation de puissance maximum
800 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Emetteur Base maximum
9 V
Nombre de broche
3
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Dimensions
4.7 x 3.7 x 4.7mm
Pays d'origine
China
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