Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
250 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 0,85
€ 0,034 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 0,85
€ 0,034 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 25 - 100 | € 0,034 | € 0,85 |
| 125 - 225 | € 0,032 | € 0,80 |
| 250 - 600 | € 0,031 | € 0,77 |
| 625 - 1225 | € 0,028 | € 0,71 |
| 1250+ | € 0,027 | € 0,68 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
250 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


