Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
3,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 21,71
€ 0,043 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
€ 21,71
€ 0,043 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
500 - 900 | € 0,043 | € 4,34 |
1000 - 2400 | € 0,041 | € 4,11 |
2500 - 4900 | € 0,04 | € 3,99 |
5000+ | € 0,039 | € 3,87 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de conditionnement
TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
3,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
300 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit