Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
110 mA, 130 mA
Tension Drain Source maximum
50 V, 60 V
Type de boîtier
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
10 Ω, 13,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
0.2 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.2mm
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
Prix sur demande
Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
110 mA, 130 mA
Tension Drain Source maximum
50 V, 60 V
Type de boîtier
SOT-363
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
10 Ω, 13,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
0.2 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
2.2mm
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1mm
Détails du produit


