Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
130 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de conditionnement
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
10Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
0.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.35mm
Longueur
2.2mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 154,28
€ 0,051 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 154,28
€ 0,051 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
3000 - 6000 | € 0,051 | € 154,28 |
9000+ | € 0,048 | € 143,76 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
130 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de conditionnement
SOT-323
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
10Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
0.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.35mm
Longueur
2.2mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit