MOSFET DiodesZetex canal N/P, SOIC 7 A, 8,5 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
7 A, 8.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
32 mΩ, 53 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
16,1 nC @ 10 V, 21,1 nC @ 4,5 V
Largeur
3.95mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
4.95mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.5mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N/P, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 37,88
€ 0,303 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
125
€ 37,88
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Paquet de production (Bobine)
125
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 125 - 600 | € 0,303 | € 7,58 |
| 625 - 1225 | € 0,252 | € 6,30 |
| 1250+ | € 0,203 | € 5,08 |
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DiodesZetexType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
7 A, 8.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
32 mΩ, 53 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.2V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
16,1 nC @ 10 V, 21,1 nC @ 4,5 V
Largeur
3.95mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
4.95mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.5mm
Pays d'origine
China
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