MOSFET DiodesZetex canal N/P, TSOT-26 4,6 A, 3,3 A 30 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
4,6 A, 3,3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
TSOT-26
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
140 mΩ (canal P), 90 mΩ (canal N)
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5 (NChannel) V, 2.5 (PChannel) V
Tension de seuil minimale de la grille
1 (NChannel) V, 1 (PChannel) V
Dissipation de puissance maximum
1.1 W
Tension Grille Source maximum
±20 V, ±20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
1.7mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,5 nC @ 10 V (canal N), 6,5 nC @ 10 V (canal P)
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.9mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
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€ 260,47
€ 0,087 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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N, P
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Type de boîtier
TSOT-26
Type de montage
CMS
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6
Résistance Drain Source maximum
140 mΩ (canal P), 90 mΩ (canal N)
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5 (NChannel) V, 2.5 (PChannel) V
Tension de seuil minimale de la grille
1 (NChannel) V, 1 (PChannel) V
Dissipation de puissance maximum
1.1 W
Tension Grille Source maximum
±20 V, ±20 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
1.7mm
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
4,5 nC @ 10 V (canal N), 6,5 nC @ 10 V (canal P)
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