Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
460 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-523 (SC-89)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
270 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-6 V, +6 V
Charge de Grille type @ Vgs
0,58 nC @ 4,5 V
Largeur
0.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 12 V à 25 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 22,62
€ 0,038 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
600
€ 22,62
€ 0,038 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
600
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
600 - 1400 | € 0,038 | € 3,77 |
1500+ | € 0,031 | € 3,11 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
460 mA
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-523 (SC-89)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1.3 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
270 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-6 V, +6 V
Charge de Grille type @ Vgs
0,58 nC @ 4,5 V
Largeur
0.85mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1.7mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
0.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit