MOSFET DiodesZetex canal P, SOT-23 3,3 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.3 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
1.4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
10,2 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 12 V à 25 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 42,24
€ 0,084 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
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Paquet de production (Bobine)
500
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| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 500 - 900 | € 0,084 | € 8,45 |
| 1000 - 2400 | € 0,067 | € 6,69 |
| 2500 - 4900 | € 0,063 | € 6,34 |
| 5000+ | € 0,045 | € 4,46 |
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DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3.3 A
Tension Drain Source maximum
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Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
1.4 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
10,2 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
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