MOSFET DiodesZetex canal P, SOT-23 4 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
71 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
900 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Charge de Grille type @ Vgs
9,1 nC @ 4,5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3mm
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 12 V à 25 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
71 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
900 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Charge de Grille type @ Vgs
9,1 nC @ 4,5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3mm
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal P, 12 V à 25 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.