MOSFET DiodesZetex canal N, SOIC 10 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
33 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
1.42 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.95mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
10,5 nC @ 10 V
Largeur
3.95mm
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 6,25
€ 0,25 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 25 - 100 | € 0,25 | € 6,25 |
| 125+ | € 0,135 | € 3,38 |
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N
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SOIC W
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CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
33 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.4V
Dissipation de puissance maximum
1.42 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
4.95mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
10,5 nC @ 10 V
Largeur
3.95mm
Hauteur
1.5mm
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