MOSFET DiodesZetex canal N, SOIC 7.5 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7.5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
22 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.6V
Dissipation de puissance maximum
1.5 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
8,56 nC @ 5 V
Largeur
3.95mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
4.95mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 9,09
€ 0,364 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Mode de canal
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Tension de seuil maximale de la grille
1.6V
Dissipation de puissance maximum
1.5 W
Configuration du transistor
Isolated
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-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
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Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
4.95mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
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