MOSFET DiodesZetex canal N, PowerDI3333-8 10,5 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10,5 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
PowerDI3333-8
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
15 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
26,7 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.85mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 3,77
€ 0,151 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
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N
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PowerDI3333-8
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CMS
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8
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15 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.35mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
3.35mm
Charge de Grille type @ Vgs
26,7 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.85mm
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