MOSFET DiodesZetex canal N/P, SOIC 2,5 A, 7,8 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
2.5 A, 7.8 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
40 mΩ, 80 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.5 W
Configuration du transistor
Full Bridge
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
4
Largeur
3.95mm
Longueur
4.95mm
Charge de Grille type @ Vgs
11,4 nC @ 10 V, 11,7 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.5mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Pont en H de transistor MOSFET à mode d'enrichissement complémentaire, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 878,56
€ 0,351 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Mode de canal
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Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.5 W
Configuration du transistor
Full Bridge
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±20 V
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
11,4 nC @ 10 V, 11,7 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
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