Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Type de conditionnement
SMini
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
41 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.8V
Tension de seuil minimale de la grille
0.35V
Dissipation de puissance maximum
1.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
50,6 nC @ 8 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.7mm
Hauteur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 313,20
€ 0,104 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 313,20
€ 0,104 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Type de conditionnement
SMini
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
41 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.8V
Tension de seuil minimale de la grille
0.35V
Dissipation de puissance maximum
1.2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Longueur
3.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
50,6 nC @ 8 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
1.7mm
Hauteur
1.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
Détails du produit