MOSFET DiodesZetex canal N, SOT-346 11 A 12 Mo, 3 broches

N° de stock RS: 165-8326Marque: DiodesZetexN° de pièce Mfr: DMN1019USN-7
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

11 A

Tension Drain Source maximum

12 V

Type de conditionnement

SMini

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

41 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

0.8V

Tension de seuil minimale de la grille

0.35V

Dissipation de puissance maximum

1.2 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-8 V, +8 V

Longueur

3.1mm

Charge de Grille type @ Vgs

50,6 nC @ 8 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

1.7mm

Hauteur

1.3mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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€ 313,20

€ 0,104 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)

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N

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11 A

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12 V

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Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

41 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

0.8V

Tension de seuil minimale de la grille

0.35V

Dissipation de puissance maximum

1.2 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-8 V, +8 V

Longueur

3.1mm

Charge de Grille type @ Vgs

50,6 nC @ 8 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

1.7mm

Hauteur

1.3mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

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