Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
17 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
99 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
34 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
25,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.77V
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 100 V à 950 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 39,63
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 39,63
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
17 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
DPAK (TO-252)
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
99 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
1.5V
Dissipation de puissance maximum
34 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
25,2 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
0.77V
Détails du produit


