MOSFET DiodesZetex canal N, SOT-23 600 mA 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.6 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Largeur
1.4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Hauteur
1mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 11,42
€ 0,228 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 11,42
€ 0,228 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,228 | € 11,42 |
| 500 - 1200 | € 0,127 | € 6,36 |
| 1250 - 4950 | € 0,103 | € 5,17 |
| 5000+ | € 0,10 | € 5,00 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.6 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3.5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Largeur
1.4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Hauteur
1mm
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.