MOSFET DiodesZetex canal N, SOT-23 4.2 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4,2 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
45 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
800 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Charge de Grille type @ Vgs
7 nC @ 4,5 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Longueur
3mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 1,94
€ 0,039 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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SOT-23, TO-236
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
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800 mW
Configuration du transistor
Single
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Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Longueur
3mm
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150 °C
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1
Température de fonctionnement minimum
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