MOSFET DiodesZetex canal N, X2-DFN1006 1,3 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.3 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
X2-DFN1006
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
500 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.95V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
0.65mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1.05mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,6 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.35mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 7,19
€ 0,144 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 7,19
€ 0,144 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.3 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de conditionnement
X2-DFN1006
Type de montage
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
500 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.95V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
0.65mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1.05mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,6 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
0.35mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.