MOSFET DiodesZetex canal N, X2-DFN1006 1,3 A 20 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.3 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type d'emballage
X2-DFN1006
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
500 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.95V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
0.65mm
Longueur
1.05mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,6 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.35mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 12 V à 28 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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€ 525,96
€ 0,053 Each (On a Reel of 10000) (hors TVA)
10000
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.95V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
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1
Largeur
0.65mm
Longueur
1.05mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,6 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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Taille
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