Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.33 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-563
Type de montage
CMS
Nombre de broches
6
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
530 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
1.25mm
Longueur
1.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,5 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.6mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 218,23
€ 0,073 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 218,23
€ 0,073 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.33 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-563
Type de montage
CMS
Nombre de broches
6
Résistance Drain Source maximum
1,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
530 mW
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Largeur
1.25mm
Longueur
1.7mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,5 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
0.6mm
Pays d'origine
China
Détails du produit