Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
15.4 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type d'emballage
SOT-223-5
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
35 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.55mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.55mm
Charge de Grille type @ Vgs
11,3 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 46,06
€ 0,384 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
120
€ 46,06
€ 0,384 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
120
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
120 - 600 | € 0,384 | € 7,68 |
620 - 1240 | € 0,333 | € 6,66 |
1260+ | € 0,279 | € 5,57 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
15.4 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type d'emballage
SOT-223-5
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
35 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.8 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
3.55mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.55mm
Charge de Grille type @ Vgs
11,3 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.65mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit