MOSFET DiodesZetex canal N, DFN 300 mA 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
0.3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
DFN EP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2.2 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
1.05mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
0.65mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
0.35mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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N
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DFN EP
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CMS
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3
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2.2 Ω
Mode de canal
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Tension de seuil maximale de la grille
1.2V
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350 mW
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Single
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1
Longueur
1.05mm
Température d'utilisation maximum
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Largeur
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Matériau du transistor
Si
Hauteur
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