Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5.8 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
42 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
720 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
9,2 nC @ 10 V
Largeur
1.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 7,05
€ 0,07 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 7,05
€ 0,07 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5.8 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
42 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
720 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
9,2 nC @ 10 V
Largeur
1.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


