Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
940 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
730 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.95V
Dissipation de puissance maximum
710 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,6 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 30 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 10,46
€ 0,209 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 10,46
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
940 mA
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
730 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
0.95V
Dissipation de puissance maximum
710 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
1,6 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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