Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
360 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de boîtier
SOT-363
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
6
Résistance Drain Source maximum
4,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
310 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,6 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.4V
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 30,39
€ 0,061 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
€ 30,39
€ 0,061 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
500
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Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
---|---|---|
500 - 900 | € 0,061 | € 6,08 |
1000 - 1900 | € 0,06 | € 5,96 |
2000 - 2900 | € 0,058 | € 5,84 |
3000+ | € 0,056 | € 5,61 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
360 mA
Tension Drain Source maximum
50 V
Type de boîtier
SOT-363
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
6
Résistance Drain Source maximum
4,5 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.5V
Tension de seuil minimale de la grille
0.8V
Dissipation de puissance maximum
310 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,6 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.4V
Détails du produit