MOSFET DiodesZetex canal N, DPAK (TO-252) 8.5 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 751-4200PMarque: DiodesZetexN° de pièce Mfr: DMN6068LK3-13
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Documents techniques

Spécifications

Brand

DiodesZetex

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

8.5 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

DPAK (TO-252)

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

100 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

8.49 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

10,3 nC @ 10 V

Largeur

6.22mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.73mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

2.39mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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€ 4,82

€ 0,193 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET DiodesZetex canal N, DPAK (TO-252) 8.5 A 60 V, 3 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 25.

Production -

Disponible en multiples de 25.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

25

Disponible en multiples de 25
25€ 4,82
50€ 9,65
75€ 14,47
100€ 19,30
125€ 23,41
150€ 28,09
175€ 32,77
200€ 37,45
225€ 42,13
250€ 46,81
275€ 51,50
300€ 56,18
325€ 60,86
350€ 65,54
375€ 70,22

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225€ 42,13
250€ 46,81
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QuantitéPrix unitairePar Bobine
25 - 100€ 0,193€ 4,82
125 - 600€ 0,187€ 4,68
625 - 1225€ 0,183€ 4,57
1250+€ 0,178€ 4,45

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Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

8.5 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

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Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

100 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

8.49 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Charge de Grille type @ Vgs

10,3 nC @ 10 V

Largeur

6.22mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

6.73mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

2.39mm

Température de fonctionnement minimum

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