Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.5 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1,15 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
12,3 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 9,29
€ 0,186 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 9,29
€ 0,186 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
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Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,186 | € 9,29 |
250 - 950 | € 0,162 | € 8,12 |
1000 - 1950 | € 0,159 | € 7,95 |
2000 - 2950 | € 0,154 | € 7,71 |
3000+ | € 0,151 | € 7,54 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
2.5 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de fixation
CMS
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
120 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
1,15 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3mm
Charge de Grille type @ Vgs
12,3 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Pays d'origine
China
Détails du produit