MOSFET DiodesZetex canal N, SOT-23 2,5 A 60 V, 3 broches

N° de stock RS: 921-1280PMarque: DiodesZetexN° de pièce Mfr: DMN6075S-7
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Documents techniques

Spécifications

Brand

DiodesZetex

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

2.5 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

120 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3V

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

1.15 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3mm

Charge de Grille type @ Vgs

12,3 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Tension directe de la diode

1.2V

Détails du produit

Transistor MOSFET à canal N, 40 à 90 V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

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€ 41,48

€ 0,166 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET DiodesZetex canal N, SOT-23 2,5 A 60 V, 3 broches
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Paquet de production (Bobine)

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Standard - each

Disponible en multiples de 50.

Production -

Disponible en multiples de 50.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

250

Disponible en multiples de 50
250€ 41,48
300€ 49,78
350€ 58,08
400€ 66,37
450€ 74,67
500€ 82,96
550€ 91,26
600€ 99,56
650€ 107,85
700€ 116,15
750€ 124,45
800€ 132,74
850€ 141,04
900€ 149,34
950€ 157,63

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550€ 91,26
600€ 99,56
650€ 107,85
700€ 116,15
750€ 124,45
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QuantitéPrix unitairePar Bobine
250 - 950€ 0,166€ 8,30
1000 - 1950€ 0,161€ 8,07
2000 - 2950€ 0,158€ 7,90
3000+€ 0,153€ 7,67

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N

Courant continu de Drain maximum

2.5 A

Tension Drain Source maximum

-60 V

Type de boîtier

SOT-23, TO-236

Type de montage

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

120 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

3V

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

1.15 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.4mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3mm

Charge de Grille type @ Vgs

12,3 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

1mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

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