MOSFET DiodesZetex canal N, X1-DFN1006 407 mA 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
407 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
X1-DFN1006
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
0.67mm
Longueur
1.07mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,45 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.3V
Taille
0.48mm
Pays d'origine
China
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€ 499,17
€ 0,05 Each (On a Reel of 10000) (hors TVA)
10000
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CMS
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
0,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
0.67mm
Longueur
1.07mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,45 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
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