Documents techniques
Spécifications
Brand
DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-363
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
8 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
20V
Dissipation de puissance maximum
0,4 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,87 nC @ 10 V
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 6,51
€ 0,065 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
€ 6,51
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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DiodesZetexType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
200 mA
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOT-363
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
8 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
20V
Dissipation de puissance maximum
0,4 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
1.35mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
2.2mm
Charge de Grille type @ Vgs
0,87 nC @ 10 V
Hauteur
1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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